G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 35

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 16.2

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.2 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 35
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 16.2
Скорость записи, Гб/сек

10.9 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2735 3299

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

модули RAM