RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
75
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
11.1
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
1763
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link