RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
49
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3437
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link