RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
49
Около -158% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
19.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3435
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link