RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 62
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 1,843.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,556.6 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,843.6 left arrow 9.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    542 left arrow 2361

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
модули RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
модули RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
модули RAM