RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.9
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3963
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link