RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.9
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link