RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
20.8
Скорость записи, Гб/сек
5.8
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link