RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Mushkin 996902 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link