RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link