RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB против Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
6.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2046
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link