RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link