RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link