RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link