RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3905
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link