RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link