RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2919
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link