RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2797
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link