RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link