RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link