RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3482
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link