RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3840
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Сравнения RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link