RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3905
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link