RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
74
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link