RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3811
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link