RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston X75V1H-MIE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
57
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link