RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Corsair VS2GSDS800D2 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link