RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3796
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link