RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link