RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3031
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link