RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3456
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link