RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link