RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
61
Около 57% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
61
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2025
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link