RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.6
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
10.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2701
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link