RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2481
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link