RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
73
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
4.7
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2768
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link