RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2524
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link