RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
75
Около -295% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
19
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
20.7
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3724
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link