Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,107.0 12.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 58

Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 16.1
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 3344

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

модули RAM