Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Inmos + 256MB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.5

Среднее значение в тестах

Inmos + 256MB

Причины выбрать
Inmos + 256MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 58

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.1 2,107.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

16800 6400

Около 2.63 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Inmos + 256MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 11.5
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 16800

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 2318

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB

Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

модули RAM

Mushkin 994083 4GB

Mushkin 994083 4GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

модули RAM