RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link