RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3302
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link