RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2935
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link