Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 41

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.9 10.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.3 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.7 12.9
Скорость записи, Гб/сек

7.5 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1335 2619

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB

Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

модули RAM