RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2301
3025
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link