RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3625
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link