RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3004
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link