RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
92
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2920
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link