RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 16.4
    Среднее значение в тестах
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 92
    Около -156% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.1 left arrow 1,266.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    92 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,105.4 left arrow 16.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,266.1 left arrow 11.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    339 left arrow 2653

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Сравнения RAM

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM