RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
92
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2978
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link